CY7C1370CV25-167BZC和CY7C1370DV25-167BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370CV25-167BZC CY7C1370DV25-167BZI CY7C1370DV25-200BZI

描述 512K ×36 / 1M ×18的SRAM流水线与NOBL ™架构 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 BGA FBGA-165 FBGA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2.375V ~ 2.625V 2.5 V

位数 - 36 -

存取时间(Max) - 3.4 ns -

高度 - - 0.89 mm

封装 BGA FBGA-165 FBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台