BC856B和LBC856BLT1G

对比图

型号 BC856B LBC856BLT1G BC856BLT1G

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3LBC856BLT1GON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - - -65.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 - PNP PNP, P-Channel

耗散功率 0.25 W - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -65.0 V

集电极最大允许电流 - 100mA 0.1A

频率 100 MHz - -

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 250 mW - -

最小电流放大倍数(hFE) - 220 -

最大电流放大倍数(hFE) - 475 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

材质 Silicon - -