STI76NF75和STI8N65M5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STI76NF75 STI8N65M5 STU5N95K3

描述 I2PAK N-CH 75V 80AN沟道650 V, 0.56 Ω , 7的的MDmesh ? V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STU5N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 70 W 90 W

漏源极电压(Vds) 75 V 650 V 950 V

上升时间 100 ns 14 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 690pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 11 ns 18 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 80A - -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 3 Ω

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 950 V

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 2.4 mm

高度 - - 6.9 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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