对比图
型号 FDMS5672 NVD5865NLT4G BSC110N06NS3GATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5672 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 3 8
封装 Power-56 TO-252-3 PG-TDSON-8
通道数 - 1 -
针脚数 8 3 8
漏源极电阻 0.0094 Ω 0.013 Ω 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 71 W 50 W
阈值电压 3.2 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V -
上升时间 - 12.4 ns 77 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @30V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 2000pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 3.1 W -
下降时间 - 4.4 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 71 W 2.5W (Ta), 50W (Tc)
额定功率 - - 50 W
输入电容 2.80 nF - 2000 pF
连续漏极电流(Ids) 10.6 A - 50A
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 22.0 A - -
栅电荷 45.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 5 mm 6.73 mm 5.49 mm
宽度 6 mm 6.22 mm 5.49 mm
高度 0.75 mm 2.38 mm 1.1 mm
封装 Power-56 TO-252-3 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99