STW25NM60ND和STW26NM60N

对比图

型号 STW25NM60ND STW26NM60N APT6030BVRG

描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VTO-247 N-CH 600V 21A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.13 Ω 0.135 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 160 W 140 W 298 W

阈值电压 4 V 3 V -

输入电容 2400 pF 1800 pF 3.75 nF

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 21A 20A 21.0 A

上升时间 30 ns 25 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 3750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 140 W -

下降时间 40 ns 50 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 140W (Tc) 298000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 21.0 A

栅电荷 - - 150 nC

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -