对比图
型号 IRLR014PBF NTD3055L104T4G IRLR024NPBF
描述 N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 38 W
针脚数 - 4 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.089 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 48 W 45 W
阈值电压 2 V 1.6 V 2 V
输入电容 - - 480pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 - 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 12.0 A 17A
上升时间 110 ns 104 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.5 W 45 W
下降时间 26 ns 40.5 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 1.5 W 45W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 12.0 A -
通道数 - 1 -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.39 mm
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -