对比图
型号 FQD16N25CTM IRLR024TRPBF MTD6N20ET4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD16N25CTM 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V功率MOSFET Power MOSFETON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 220 mΩ 100 mΩ 0.46 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 2.5 W 50 W
漏源极电压(Vds) 250 V 60 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 14.0 A 6.00 A
上升时间 130 ns 110 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 2.5 W 1.75 W
下降时间 105 ns 41 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160 W 2500 mW 1.75W (Ta), 50W (Tc)
额定电压(DC) 250 V - 200 V
额定电流 16.0 A - 6.00 A
针脚数 3 - 3
阈值电压 4 V - 3 V
漏源击穿电压 250 V - 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
输入电容 - - 480 pF
栅电荷 - - 21.0 nC
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.73 mm
宽度 6.1 mm - 6.22 mm
高度 2.3 mm - 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -