MJ11030G和MJ11032G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ11030G MJ11032G MJ11028G

描述 高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJ11032G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18 hFEON SEMICONDUCTOR  MJ11028G  达林顿双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 2 2

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

额定电压(DC) 90.0 V 120 V 50.0 V

额定电流 50.0 A 50.0 A 50.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300000 mW 300 W 300 W

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 120 V 60 V

集电极最大允许电流 50A 50A 50A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @25A, 5V 1000 1000 @25A, 5V

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 300000 mW

针脚数 - 2 2

最大电流放大倍数(hFE) - 18000 18000

直流电流增益(hFE) - 18000 18

额定功率 - 300 W -

输出电压 - 120 V -

输出电流 - 50 A -

输入电压 - 5 V -

长度 38.86 mm 38.86 mm -

宽度 26.67 mm 26.67 mm 26.67 mm

高度 8.51 mm 8.51 mm -

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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