FQL40N50和STD6N95K5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQL40N50 STD6N95K5 STD15NF10T4

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V - 100 V

额定电流 40.0 A - 23.0 A

漏源极电阻 110 mΩ 1 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 460 W 90 W 70 W

漏源极电压(Vds) 500 V 950 V 100 V

漏源击穿电压 500 V - 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 9A 23.0 A

上升时间 440 ns 12 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 90 W 70 W

下降时间 250 ns 21 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 3 V

输入电容 - 450 pF -

通道数 - - 1

长度 20 mm - 6.6 mm

宽度 5 mm - 6.2 mm

高度 26 mm - 2.4 mm

封装 TO-264-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台