IPI80N06S4-07和SPP11N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI80N06S4-07 SPP11N80C3 SPP08N80C3

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorINFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 79 W 156 W 104 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 80 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 80A 11.0 A 8.00 A

上升时间 3 ns 15 ns 15 ns

下降时间 5 ns 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 800 V 800 V

额定电流 - 11.0 A 8.00 A

额定功率 - 156 W 104 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.39 Ω 0.56 Ω

输入电容(Ciss) - 1600pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 156 W 104 W

耗散功率(Max) - 156 W 104W (Tc)

通道数 - - 1

长度 10.2 mm 10.36 mm 10.36 mm

宽度 4.5 mm 4.57 mm 4.4 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 15.95 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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