对比图
型号 FDS6680A SI4162DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 VN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETVISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 12.5 A - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0095 Ω 0.0065 Ω 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 12.5 A 19.3A -
上升时间 5 ns 15 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @15V(Vds) 1155pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W 5 W -
下降时间 15 ns 10 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -