对比图
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 24 mΩ 0.23 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 190 W 150 W
漏源极电压(Vds) 100 V 500 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 500 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 17.0 A 61.0 A
上升时间 59 ns 20 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 1710pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 120 W 190 W 150 W
下降时间 44 ns 15 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 100 V
额定电流 - 17.0 A 61.0 A
阈值电压 - 3.75 V 4 V
输入电容 - 2600 pF 2.88 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
额定功率 - 190 W -
针脚数 - 3 -
长度 10.67 mm 15.75 mm -
宽度 9.65 mm 5.15 mm -
高度 4.83 mm 20.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99