对比图
型号 DS1225AB-150IND DS1225AB-150+ DS1225AB-150IND+
描述 IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIPRAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-150IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
电源电压(DC) 4.75V (min) 5.00 V, 5.25 V (max) 4.75V (min)
时钟频率 150 GHz 150 GHz -
存取时间 150 ns 150 ns 150 ns
内存容量 8000 B 8000 B 8000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃
电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V
针脚数 - - 28
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
长度 - 39.12 mm 39.12 mm
宽度 - 18.29 mm 18.29 mm
高度 - 9.4 mm 9.4 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free