BSS138N H6327和BSS138_D87Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138N H6327 BSS138_D87Z 2N7002T

描述 INFINEON  BSS138N H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3Pin SOT-23 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002T  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-523-3

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 220 mA -

漏源极电阻 3.5 Ω 3.50 Ω 1.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 0.36 W 200 mW

输入电容 - 27.0 pF -

栅电荷 - 2.40 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 60 V

漏源击穿电压 - 50.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 220 mA -

上升时间 3 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 32pF @25V(Vds) 27pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

下降时间 8.2 ns 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360mW (Ta) 200mW (Ta)

针脚数 3 - 3

阈值电压 1 V - 1.76 V

额定功率(Max) - - 200 mW

通道数 1 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-523-3

长度 2.9 mm - 1.7 mm

宽度 1.3 mm - 0.98 mm

高度 1.1 mm - 0.78 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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