FDB15N50和FDB15N50_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB15N50 FDB15N50_NL STB12NM50ND

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB15N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 VN沟道 500V 15AN沟道500V , 0.29欧姆, 11A , FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , DPAK , TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15A 11A

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.33 Ω - 380 mΩ

耗散功率 300 W - 100 W

漏源击穿电压 500 V - 500 V

上升时间 5.4 ns - 15 ns

输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) - 850pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 100 W

下降时间 5 ns - 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 W - 100W (Tc)

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 15.0 A - -

额定功率 300 W - -

针脚数 3 - -

阈值电压 3.4 V - -

输入电容 1.85 nF - -

栅电荷 33.0 nC - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 11.33 mm - -

高度 4.83 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - 150℃ (TJ)

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