对比图
型号 IRF540NSTRRPBF STB30NF10T4 STB35NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 44Milliohms; ID 33A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-20STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 33.0 A 35.0 A 40.0 A
漏源极电阻 44 mΩ 0.038 Ω 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 115 W 115 W
产品系列 IRF540NS - -
输入电容 1960pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 15.0 A 40.0 A
上升时间 35 ns 40 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 115 W 115 W
下降时间 35 ns 10 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V 3 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
耗散功率(Max) - 115W (Tc) 115W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.75 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17