CSD13381F4和CSD13381F4T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD13381F4 CSD13381F4T CSD17484F4

描述 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4TEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mVCSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 180 mΩ 0.14 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 500 mW 500 mW 0.5 W

阈值电压 850 mV 850 mV -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 30 V

漏源击穿电压 12 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.1A 2.1A -

上升时间 1.5 ns 1.5 ns 1 ns

输入电容(Ciss) 200pF @6V(Vds) 155pF @6V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 500 mW - -

下降时间 3.8 ns 3.8 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500 mW 500 mW

针脚数 - 3 -

长度 1 mm 1.04 mm -

宽度 0.64 mm 0.64 mm -

高度 0.35 mm 0.35 mm -

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 NLR - -

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