IXFX26N90和STW21N90K5

对比图

型号 IXFX26N90 STW21N90K5 STE26NA90

描述 N沟道 900V 26AN沟道900 V， 0.25 I© （典型值） ， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesN - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP快速功率MOSFET N - CHANNEL 900V - 0.25ohm- 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Screw

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOTOP

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 900 V

额定电流 - - 26.0 A

耗散功率 560 W 250 W 450W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) - 18.5A 26.0 A

上升时间 35 ns 27 ns 52.0 ns

输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 1645pF @100V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 560W (Tc) 250W (Tc) 450W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 300 mΩ 0.25 Ω -

漏源击穿电压 900 V - -

下降时间 24 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

极性 - N-CH -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 250 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 ISOTOP

长度 16.13 mm - -

宽度 5.21 mm - -

高度 21.34 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -