对比图
型号 BC856BE6327 BC856BLT1G BC856B,235
描述 SOT-23 PNP 65V 0.1AON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFETO-236AB PNP 65V 0.1A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
击穿电压(集电极-发射极) 65 V -65.0 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 330 mW - -
频率 - - 100 MHz
耗散功率 - 300 mW 0.25 W
最小电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) - - 250 mW
额定电压(DC) - -65.0 V -
额定电流 - -100 mA -
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
材质 Silicon - -
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -