对比图
型号 IPI60R380C6 STP5NK100Z SPP08N80C3
描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 1.00 kV 800 V
额定电流 - 3.50 A 8.00 A
额定功率 - 125 W 104 W
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 380 mΩ 3.7 Ω 0.56 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 125 W 104 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 1 kV 800 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A 3.50 A 8.00 A
上升时间 10 ns 7.7 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 700pF @100V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 83 W 125 W 104 W
下降时间 9 nS 19 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 104W (Tc)
漏源击穿电压 650 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 10.2 mm 10.4 mm 10.36 mm
宽度 4.5 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 9.45 mm 9.15 mm 15.95 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99