对比图
型号 IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6BTMA1 IPD65R660CFDBTMA1
描述 INFINEON IPD65R600E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 63 W 63 W 62.5 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.54 Ω - 0.594 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 63 W 63W (Tc) 62.5W (Tc)
阈值电压 3 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 6A
上升时间 8 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 615pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 63 W 62.5 W
下降时间 11 ns 11 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc) 62.5W (Tc)
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -