对比图
型号 IRFP4227PBF STW75NF20 STW52NK25Z
描述 N沟道,200V,65A,25mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW52NK25Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.025 Ω 0.028 Ω 0.033 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 330 W 190 W 300 W
产品系列 IRFP4227 - -
阈值电压 30 V 3 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 47.0 A, 75.0 A 26.0 A
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 190 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -50 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 200 V 250 V
上升时间 - 33 ns 75 ns
下降时间 - 29 ns 55 ns
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) - - 250 V
额定电流 - - 52.0 A
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17