IRF7413TRPBF和STS14N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7413TRPBF STS14N3LLH5 PHK12NQ03LT

描述 INFINEON  IRF7413TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 VN沟道30 V , 0.005 Ω , 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFETN沟道的TrenchMOS ?逻辑电平FET N-channel TrenchMOS?? logic level FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.011 Ω 5 mΩ 0.014 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 3 V 1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13A 7.00 A 11.8 A

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 1335pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

上升时间 50 ns 14.5 ns -

下降时间 46 ns 4.5 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.7W (Tc) -

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 - -

输入电容 1800 pF - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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