FM24V01-G和FM24V01-GTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM24V01-G FM24V01-GTR FM24VN10-G

描述 F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。128KB串行3V F-RAM存储器 128Kb Serial 3V F-RAM MemoryFM24V 系列 1 M 位 (128K x 8) 3 V 450 us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 3.4 MHz - -

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

存取时间 130 ns - -

存取时间(Max) 130 ns 130 ns 450 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V

针脚数 - - 8

时钟频率 - - 3.4 MHz

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2 V

长度 4.98 mm - 4.98 mm

宽度 3.987 mm - 3.987 mm

高度 1.478 mm 1.48 mm 1.478 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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