MMUN2116LT1和MUN2113T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2116LT1 MUN2113T1 MUN2116T1G

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SC-59 SC-59

引脚数 - - 3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 246 mW - 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 - -

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

耗散功率(Max) - - 338 mW

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 SC-59 SC-59

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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