对比图
型号 RTQ045N03TR SI3456DDV-T1-GE3 PMN45EN,165
描述 2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FETN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPMN45EN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-457
针脚数 - 6 -
漏源极电阻 420 mΩ 33 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 1.25 W 1.7 W 1.75 W
阈值电压 - 1.2 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 5A -
上升时间 31 ns 13 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 540pF @10V(Vds) 325pF @15V(Vds) 495pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.25 W 2.7 W 1.75 W
下降时间 30 ns 11 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 4.50 A - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.25W (Ta) - 1.75W (Tc)
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-457
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -