KST5551MTF和MMBT5551

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST5551MTF MMBT5551 MMBT5551LT1G

描述 ON Semiconductor KST5551MTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 160 V 160 V

额定电流 - 600 mA 600 mA

额定功率 - - 0.225 W

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 350 mW 350 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V

集电极最大允许电流 - - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 250

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 80 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW 300 mW

频率 - 300 MHz -

长度 2.9 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.97 mm 0.93 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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