L6385ED和L6385ED013TR

对比图

型号 L6385ED L6385ED013TR L6385D

描述 STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8L6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

电源电压(DC) -300 mV (min) - 17.0V (max)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

频率 400 kHz 400 kHz -

额定功率 750 mW 750 mW -

输出电压 580 V 580 V -

输出电流 400 mA 400 mA -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

电源电压 17 V 17 V -

电源电压(Max) 17 V 17 V -

电源电压(Min) 0.3 V - -

输出电流(Max) - 0.65 A -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.25 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -