对比图
型号 IPS1021SPBF VNB35NV04TR-E VNB35N07TR-E
描述 Power Switch Lo Side 4.8A 3Pin(2+Tab) D2PAKMOSFETSTMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 6 A 60 A 35 A
供电电流 - 0.1 mA 0.25 mA
针脚数 - 3 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 125 W 125 W
漏源击穿电压 - 70.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 35.0 A 18.0 A
上升时间 - 100 µs -
输出电流(Max) 4.8 A 30 A 25 A
输出电流(Min) - 30 A 25 A
输入数 - 1 1
下降时间 - 110 µs -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -
耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW
漏源极电阻 0.025 Ω - 0.028 Ω
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) - - 80 V
输入电压(Max) - - 18 V
输入电压 4.5V ~ 5.5V - 18 V
工作电压 36.0V (max) - -
额定功率 3.1 W - -
输入电压(DC) 5.50 V - -
产品系列 IPS1021S - -
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.2 mm
宽度 - - 9.15 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99