FDD6796和FDD6796A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6796 FDD6796A

描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 25 V , 40 A , 5.7米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mヘN沟道的PowerTrench ? MOSFET的25 V , 5.7毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 5.7 mΩ

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3.7 W 3.7 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A

上升时间 6 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 2315pF @13V(Vds) 1780pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 3.7 W 3.7 W

下降时间 4 ns 4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 42W (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 5.7 mΩ -

漏源击穿电压 25 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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