IRFP4242PBF和STW52NK25Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP4242PBF STW52NK25Z STW75NF30

描述 N沟道,300V,46A,59mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STW75NF30  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 250 V -

额定电流 - 52.0 A -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 59 mΩ 0.033 Ω 0.037 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 430 W 300 W 320 W

阈值电压 - 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 300 V 250 V 300 V

漏源击穿电压 - 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 46.0 A 26.0 A 30.0 A

上升时间 - 75 ns 87 ns

输入电容(Ciss) 7370pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5930pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 430 W 300 W 320 W

下降时间 - 55 ns 101 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 430 W 300000 mW 320W (Tc)

额定功率 430 W - -

产品系列 IRFP4242 - -

输入电容 7370pF @25V - -

长度 15.87 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.7 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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