对比图
型号 BSO613SPVGHUMA1 SI9407BDY-T1-GE3
描述 INFINEON BSO613SPVGHUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.44 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V 新VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC-8
额定电压(DC) -60.0 V -
额定电流 -3.44 A -
额定功率 2.5 W -
通道数 1 -
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.11 Ω 0.1 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 5 W
阈值电压 3 V -
输入电容 875 pF -
栅电荷 30.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 3.44 A -4.70 A
上升时间 11 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) -
下降时间 12 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 5 W
额定功率(Max) - -
长度 4.9 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm
高度 1.75 mm 1.55 mm
封装 PG-DSO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
最小包装 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 -