IRF8707GPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8707GPBF STS11N3LLH5 IRF8707TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF8707TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 17.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds) 760pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)

产品系列 IRF8707G - IRF8707

连续漏极电流(Ids) 11.0 mA - 11.0 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 760 pF

漏源击穿电压 - - 30 V

上升时间 - - 7.9 ns

下降时间 - - 4.4 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台