对比图
型号 BSC0902NSATMA1 BSC100N03MSGATMA1 FDMS7660
描述 INFINEON BSC0902NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 VINFINEON BSC100N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 Power-56-8
漏源极电阻 0.0022 Ω 0.0083 Ω 0.0019 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W 2.5 W
阈值电压 1.2 V 2 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 24A 12A 25A
上升时间 5.2 ns 4.8 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 3.6 ns 5.4 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
额定功率 48 W 30 W -
针脚数 8 8 -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 5.9 mm 5.9 mm 5 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 6 mm
高度 1.27 mm 1.27 mm 1.05 mm
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 Power-56-8
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15