对比图
型号 IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEBTMA1
描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 18 W
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 26 W 26 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 2.6A 1.7A
上升时间 5.8 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 84pF @100V(Vds) 84pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 18 W
下降时间 49 ns 49 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 26W (Tc) 18W (Tc)
针脚数 3 -
漏源极电阻 2.7 Ω -
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free