FJN3301RBU和MMUN2232LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJN3301RBU MMUN2232LT1G FJN3301RTA

描述 双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/4.7K 4.7KON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 400 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 20 @10mA, 5V 15 @5mA, 10V 20 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 20 - 20

额定功率(Max) 300 mW 246 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz - 250 MHz

耗散功率(Max) 300 mW 400 mW 300 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 5.2 mm 2.9 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 1.3 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 0.94 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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