MUN5333DW1T1G和RN4986

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5333DW1T1G RN4986 MUN5333DW1T1

描述 MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-363RN4986 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记6F 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-88-6 US-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W - 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - -

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - 0.9 mm

封装 SC-88-6 US-6 SOT-363

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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