对比图
型号 NTMFS4935NT1G SI7658ADP-T1-GE3 IRFH5301TRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorVISHAY SI7658ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRFH5301TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 PowerPAK SO PowerVDFN-8
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0027 Ω 0.0018 Ω 0.00155 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 5.4 W 110 W
阈值电压 1.63 V 2.5 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 20 ns 18 ns 78 ns
输入电容(Ciss) 4850pF @15V(Vds) - 5114pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 930 mW - -
下降时间 6.6 ns 30 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 930mW (Ta), 48W (Tc) - 110 W
连续漏极电流(Ids) - 60.0 A 35.0 A, 100 A
额定功率 - - 3.6 W
产品系列 - - IRFH5301
输入电容 - - 5114 pF
长度 5.1 mm - 6 mm
宽度 6.1 mm - 5 mm
高度 1.1 mm - 0.85 mm
封装 SOIC-8 PowerPAK SO PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -