IRF8714GPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8714GPBF STS11N3LLH5 STS11NF30L

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 11.0 A

额定功率 2.5 W - 2.5 W

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 0.0085 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±18.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 mA - 11.0 A

上升时间 - - 39 ns

输入电容(Ciss) - 724pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.7 W 2.5 W

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2500 mW

针脚数 - 8 -

产品系列 IRF8714G - -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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