FDB035AN06A0和IRF3808STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB035AN06A0 IRF3808STRLPBF IRF3808SPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB035AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 75V 106A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 75V 106A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 200 W 200 W

漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 106 A 106 A

输入电容(Ciss) 6400pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 200 W 200 W

额定电压(DC) 60.0 V - 75.0 V

额定电流 80.0 A - 106 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0032 Ω - 7 mΩ

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 6.40 nF - 5310pF @25V

栅电荷 95.0 nC - -

漏源击穿电压 60.0 V - 75 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 93.0 ns - 140 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) - -

产品系列 - - IRF3808S

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 11.33 mm - -

高度 4.83 mm - 4.83 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 EAR99 - -

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