MCP14E3-E/P和MCP14E5-E/P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E3-E/P MCP14E5-E/P MCP14E3T-E/SN

描述 MICROCHIP  MCP14E3-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-8MICROCHIP  MCP14E5-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-8低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 15ns, 18ns 15ns, 18ns 15ns, 18ns

输出接口数 2 2 2

输出电流(Max) - - 4.5 A

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1100 mW 1100 mW 665 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

工作电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V -

输出电压 18.0 V 18.0 V -

输出电流 4.5 A 4.5 A -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

耗散功率 1.1 W 1.1 W -

上升时间 30 ns 30 ns -

下降时间 30 ns 30 ns -

电源电压(Max) 18 V 18 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

输出电压(Max) 17.975 V - -

输出电压(Min) 0.025 V - -

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

长度 9.27 mm 9.27 mm -

宽度 6.35 mm 6.35 mm -

高度 3.3 mm 3.3 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台