对比图
描述 Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAKNPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电压 - - 100 V
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.75 W 20 W 1.75 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 - - 71.4℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000
最大电流放大倍数(hFE) - - 12000
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 1000 200 12000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 1750 mW 20 W 20 W
输入电压 - - 5 V
频率 25 MHz 25 MHz -
额定功率 1.75 W 1.75 W -
长度 - 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.8 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99