对比图
型号 STW43NM60ND STW47NM60ND IPW60R099C6
描述 STMICROELECTRONICS STW43NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V ， 0.075 I© （典型值） ，十五FDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.075 Ω typ., 35 A FDmesh⢠II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 packageMOS(场效应管)/IPW60R099C6 管装
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.075 Ω - 90 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 255 W 255 W 278 W
阈值电压 4 V - 3.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 35A 35A 37.9A
上升时间 40 ns 40 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 4300pF @50V(Vds) 4200pF @50V(Vds) 2660pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 255 W 225 W 278 W
下降时间 50 ns 50 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 255W (Tc) 255W (Tc) 278W (Tc)
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 15.75 mm - 16.13 mm
宽度 5.15 mm - 5.21 mm
高度 20.15 mm - 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - - EAR99