对比图
型号 SI4421DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4421DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV 新VISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0135 Ω 0.0051 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 3 W
漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V
连续漏极电流(Ids) -14.0 A -26.6 A
上升时间 90 ns 42 ns
下降时间 170 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
长度 - 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm
高度 - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15