对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新Trans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailNPN功率晶体管 NPN power transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 36 W - 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W
直流电流增益(hFE) 15 - 140
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 36 W 36000 mW
频率 3 MHz - -
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -
额定电流 4.00 A 4.00 A -
针脚数 3 - -
增益频宽积 3 MHz - -
集电极最大允许电流 4A 4A -
封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3
长度 7.74 mm - -
宽度 2.66 mm - -
高度 11.04 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -