BD910和MJE3055T

对比图

型号 BD910 MJE3055T 2N4922G

描述 STMICROELECTRONICS  BD910  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 3 MHz, 90 W, -10 A, 40 hFESTMICROELECTRONICS  MJE3055T  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 3 A, 400 hFEON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-225-3

针脚数 3 3 3

极性 PNP NPN NPN

耗散功率 90 W 75 W 30 W

集电极击穿电压 80.0 V - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5A, 4V 20 @4A, 4V 30 @500mA, 1V

额定功率(Max) 90 W 75 W 30 W

直流电流增益(hFE) 40 400 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 90000 mW 75000 mW 30000 mW

频率 - 2 MHz 3 MHz

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 10.0 A 1.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

热阻 - - 4.16℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 1A

最大电流放大倍数(hFE) - 70 150

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-225-3

长度 - 10.4 mm 7.8 mm

宽度 - 4.6 mm 2.66 mm

高度 - 9.15 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99