DS1250W-100+和DS1250W-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250W-100+ DS1250W-100IND+ DS1250W-100

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-32 EDIP-32 EDIP-32

引脚数 - - 32

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 100 GHz

内存容量 - - 4000000 B

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

封装 EDIP-32 EDIP-32 EDIP-32

长度 - - 43.69 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

香港进出口证 - - NLR

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