对比图
型号 IRLR110PBF IRLR110TRPBF IRLR120NPBF
描述 VISHAY IRLR110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 VN 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 4.30 A - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.185 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 25 W 48 W
阈值电压 2 V 2 V 2 V
输入电容 250pF @25V - 440pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.30 A 4.30 A 10A
上升时间 47 ns 47 ns 35 ns
下降时间 17 ns 17 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 39 W
输入电容(Ciss) - - 440pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - - 48W (Tc)
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17