对比图
型号 STD70N10F4 SUD50N10-18P-E3 IRFR3412TRPBF
描述 N沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKN沟道100 - V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFETTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252 -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 3 W 140 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) - 8.2A 48.0 A
上升时间 20 ns 10 ns -
输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 2600pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 125 W 3 W -
下降时间 20 ns 8 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 3000 mW -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.015 Ω - -
阈值电压 4 V - -
正向电压(Max) 1.5 V - -
产品系列 - - IRFR3412
漏源击穿电压 - - 100 V
封装 TO-252-3 TO-252 -
长度 6.6 mm - -
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -