对比图
型号 FDP33N25 STP52N25M5 STP50NF25
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP33N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 VN沟道250 V ， 0.055 I© ， 28 A， TO- 220 MDmeshTM V功率MOSFET N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.094 Ω - 0.055 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 235 W 110 W 160 W
阈值电压 5 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 28A 22.0 A
上升时间 230 ns 18 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 1770pF @50V(Vds) 2670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 235 W 110 W 160 W
下降时间 120 ns 64 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 235W (Tc) 110W (Tc) 160W (Tc)
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 33.0 A - -
输入电容 2.13 nF - -
栅电荷 48.0 nC - -
漏源击穿电压 250 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 4.83 mm - 4.6 mm
高度 9.4 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -